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PG电子官网-“赢麻了”!SK海力士公布史上最强财报

时间:2025-09-05 15:25:45

“赢麻了”!SK海力士公布史上最强财报

国际电子商情23日讯 韩国科技巨头SK海力士日前发布的2024财年和第四序度财政陈诉显示,公司业务收入达66.1930万亿韩元,业务利润23.4673万亿韩元,净利润19.7969万亿韩元,业务利润率达35%,净利润率30%,均创下汗青新高。这一成就不仅逾越2018年存储器市场繁荣期,还有凸显了SK海力士于AI半导体存储器范畴的强盛竞争力。

数据显示,公司2024财年业务收入为66.1930万亿韩元,业务利润为23.4673万亿韩元(业务利润率为35%),净利润为19.7969万亿韩元(净利润率为30%),创下了有史以来最好年度事迹。3fhesmc

2024年第四序度的营收为19.7670万亿韩元,环比增长12%,业务利润为8.0828万亿韩元,环比增长15%,净利润为8.0065万亿韩元。2024财年第四序度业务利润率为41%,净利润率为41%。3fhesmc

与有史以来最高的2022年营收比拟,2024年总营收超出跨越了21万亿韩元以上,其业务利润也逾越了2018年存储器市场超繁荣期的事迹。3fhesmc

*2022年年度业务收入:44.6216万亿韩元/2018年年度业务利润:20.8437万亿韩元3fhesmc

SK海力士2024财年财政报表单元:亿韩元3fhesmc

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SK海力士2024财年第四序度财政报表单元:亿韩元3fhesmc

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SK海力士方面暗示,“面向AI的半导体存储器需求强劲的环境下,依附业界领先的HBM技能实力及以盈利为主的谋划勾当,实现了汗青最高事迹。”以2024年第四序度出现高增加趋向的HBM为例,其盘踞了整个DRAM发卖额的40%以上,企业级固态硬盘(eSSD,enterpriseSSD)发卖也连续增长。公司讲话人夸大称,“以和时供给满意客户要求的产物为竞争力,具有其就可实现不变的盈利,公司经由过程这次事迹获得证明,其意义庞大。”3fhesmc

截至2024年末,SK海力士的现金和现金等价物为14.2万亿韩元,同比增长了5.2万亿韩元,债务为22.7万亿韩元,同比削减了6.8万亿韩元。是以,债务及净债务比率也别离年夜幅改善为31%及12%。3fhesmc

SK海力士猜测,跟着年夜型科技公司对于AI办事器的投资扩展,人工智能推理技能的主要性也日趋增长,由此高机能计较所必须的HBM及高容量办事器DRAM的需求将连续增加。而且于客户端产物市场猜测部门库存调解的环境下,搭载人工智能的PC及智能手机发卖有望晋升,估计下半年市场状态将有所改善。3fhesmc

对于此,该公司规划本年增长HBM3E的供给量,并当令开发出HBM4,按照客户的要求举行供给。而且于需求不变连续的环境下,将为了具备竞争力的DDR5及LPDDR5出产,推进所需的进步前辈工艺转换。NAND闪存方面,继去年以后也将以盈利为主的运营及满意需讨情况的矫捷发卖战略应答市场。3fhesmc

别的,SK海力士将固定年度股息从每一股1200韩元提高至1500韩元,上调25%。而且将现金股息整年总额扩展到1万亿韩元的范围。是以此后仅派发固定股息,将先前政策中包罗的年度累计自由现金流(FCF,FreeCashFlow)中5%份额优先使用在增强健全的财政布局。3fhesmc

1cDRAM竞争一样激烈

彭博行业研究指出,SK海力士于开始进HBM芯片范畴盘踞主导职位地方,这简直帮忙实在现了不变的业务利润率,只管智能手机及小我私家电脑对于传统DRAM的需求可能正于掉去动力,致使NAND芯片的平均售价可能与美光一路略有降落。因为季候性需求疲软,SK海力士可能估计DRAM及NAND芯片的出货量将于第一季度环比降落,然后于第二季度复苏。3fhesmc

但这其实不影响SK海力士于DRAM开发方面的进度。据MoneyToday报导,SK海力士估计最快将在2月份成为全世界首家采用1c工艺量产DRAM的公司(不外,也有传说风闻说SK海力士将其10nm级第六代1cDRAM的开发推延了六个月,方针日期为本年6月)。3fhesmc

另外一方面,三星电子的第六代10纳米级1cDRAM制程开发进度呈现延迟。原本规划于2024年12月将1cDRAM的良率晋升至70%,到达竣事开发事情、进入量产阶段所需的程度。但现实环境是,虽然三星于2024年末得到了首款功效齐备的1cDRAM芯片,但其产量未能到达方针程度。值患上留意的是,报导还有增补道,因为产量问题致使的延迟也可能影响三星规划于2025年下半年举行的HBM4量产。3fhesmc

按照ZDNet以前的报导,SK海力士规划最早于2025年6月向NVIDIA交付HBM4样品,估计周全产物供给将于第三季度末最先。3fhesmc

为了不最坏的环境发生,报导暗示三星正于对于1cDRAM设计举行调解,并将尽最年夜努力加速开发进程。不然,假如1cDRAM的出产于2025年末最先,HBM4的出产可能会进一步推延到2026年。加上美光公布规划于2025年4月告竣1cnmDRAM开发方针,这象征着三星极可能成为末了一家官宣1cnmDRAM的三年夜原厂。3fhesmc

责编:Elaine-PG电子官网